【第一參賽人/留學人員】邢輝
【留學國家】美國
【技術領域】新材料
【參賽屆次】第7屆
【所獲獎項】入圍
【項目簡介】
中德第三代半導體材料項目由留德人員發(fā)起,聯(lián)合歐盟第三代半導體實驗室和西北工業(yè)大學、南京大學微電子學院、西安電子科技大學等國內(nèi)外研究機構和知名專家,旨在研究第三代半導體材料SiC晶體生長、大規(guī)模制備及更新一代半導體材料Ga2O3,金剛石,AlN等;技術水平為國內(nèi)領先,將可以較高成功率穩(wěn)定產(chǎn)出4英寸和6英寸SiC單晶晶體,未來該技術發(fā)展方向為大尺寸SiC單晶制備生產(chǎn)批量成熟技術和前沿半導體技術。該成果可廣泛應用于新能源車、太陽能風能、充電樁、數(shù)據(jù)中心、電力電子、高鐵、電源、雷達、5G通信、航空航天、器人等領域。公司于2021年2月成功研制出陜西省第一塊6寸4H碳化硅晶體,4月研發(fā)出Ga2O3薄膜,目前在進一步優(yōu)化工藝,即將開展大規(guī)模市場化應用!中德半導體將爭取在2023年實現(xiàn)晶圓和相關上下游營業(yè)額達到5000萬元,2023年達到銷售額一億,成長為西部寬禁帶半導體材料獨角獸。本項目核心團隊由國內(nèi)晶體材料領域一流的專家學者組建專業(yè)化和國際化的技術、營銷和投融資團隊組成,以10多位從歐美學成歸國的博士團隊為核心,包括:晶體生長、半導體材料、微電子學、計算機仿真、機械、自動控制、MBA管理等專業(yè)。此外,本項目團隊還聘請德國和美國,日本長期從事 SiC 材料和有關設備的專家做技術顧問。
【展開】
【收起】