【第一參賽人/留學(xué)人員】王旭
【留學(xué)國家】美國
【技術(shù)領(lǐng)域】新材料
【參賽屆次】第9屆
【所獲獎項】入圍
【項目簡介】
本公司項目團(tuán)隊由海歸博士團(tuán)隊依靠自主研發(fā)專利技術(shù),研發(fā)團(tuán)隊成員7人都具有世界一流材料物理和化學(xué)系擔(dān)任研究員、教授的學(xué)術(shù)執(zhí)教背景,也有在歐美知名科技公司從事納米材料及器件研發(fā)設(shè)計和銷售的實務(wù)經(jīng)驗。通過采用原位生長的方法,使碳納米管和納米銀線的電解溶液再滲透進(jìn)入鉑鍵晶核,配位形成復(fù)合型的碳納米管銀納米線,這是一款能夠在平衡條件下相同或不同分子間通過非共價鍵弱項作用自發(fā)構(gòu)成具有特種性能、長成有序的分子聚集過程高純無機(jī)材料,解決了傳統(tǒng)硅基芯片的漏電發(fā)熱問題和摩爾定律限制,以及短溝道帶隙寬度窄、散熱性不佳的技術(shù)痛點,有比硅基芯片在速度和功耗上5至10倍優(yōu)勢。本產(chǎn)品的出現(xiàn)將大幅減少國家進(jìn)口高端芯片的額度,實現(xiàn)國產(chǎn)光刻機(jī)替代進(jìn)口光刻機(jī)的顛覆性的創(chuàng)新,有利于國家的發(fā)展大計。
【展開】
【收起】